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战国兰斯下载
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兰斯洛特图片:UGBT,MOSFET

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STGWT80H65DFBSTGWT80H65DFBST
意法半導體
IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
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414nC
240A
[email protected],80A
650V
溝槽型場截止
-55°C~175°C(TJ)
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